Diyotlar - Doğrultucular - Tekil
GB10SLT12-220
DIODE SCHOTTKY 1200V 10A TO220AC
- Üretici
- GeneSiC Semiconductor
- Paket/Kılıf
- TO-220-2
- Kategori
- Diyotlar - Doğrultucular - Tekil
- Seri / Aile Numarası
- GB10SLT12
GB10SLT12-220 Hakkında
GB10SLT12-220, GeneSiC Semiconductor tarafından üretilen 1200V/10A kapasiteli Silicon Carbide (SiC) Schottky doğrultma diyotudur. TO-220-2 paketinde sunulan bu komponent, maksimum 1.8V ön kapanma voltajı ile düşük kayıplar sağlar. Reverse recovery time değerinin sıfır olması, anahtarlama hızı gerektiren uygulamalarda tercih edilmesini sağlar. -55°C ile 175°C arasındaki geniş çalışma sıcaklığı aralığında kullanılabilir. Güç kaynakları, inverterler, solar sistemler ve endüstriyel konverterler gibi yüksek voltaj uygulamalarında doğrultma ve koruma işlevleri için kullanılır. 40µA ters sızıntı akımı ile yüksek güvenilirlik sunar.
Teknik Özellikler
| Parametre | Değer |
|---|---|
| Capacitance @ Vr, F | 520pF @ 1V, 1MHz |
| Current - Average Rectified (Io) | 10A |
| Current - Reverse Leakage @ Vr | 40 µA @ 1200 V |
| Diode Type | Silicon Carbide Schottky |
| Mounting Type | Through Hole |
| Operating Temperature - Junction | -55°C ~ 175°C |
| Package / Case | TO-220-2 |
| Part Status | Obsolete |
| Reverse Recovery Time (trr) | 0 ns |
| Speed | No Recovery Time > 500mA (Io) |
| Supplier Device Package | TO-220-2 |
| Voltage - DC Reverse (Vr) (Max) | 1200 V |
| Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If | 1.8 V @ 10 A |
Kaynaklar
Datasheet
Datasheet mevcut değil
Pinout
Pinout mevcut değil
Eşdeğerler (Muadiller)
Eşdeğer (muadil) veri yok