IGBT Transistörler - Modüller
GB100XCP12-227
IGBT MODULE 1200V 100A SOT227
- Üretici
- GeneSiC Semiconductor
- Paket/Kılıf
- SOT-227-4
- Kategori
- IGBT Transistörler - Modüller
- Seri / Aile Numarası
- GB100XCP12
GB100XCP12-227 Hakkında
GB100XCP12-227, GeneSiC Semiconductor tarafından üretilen 1200V/100A IGBT modülüdür. PT tipi IGBT konfigürasyonunda tasarlanan bu komponent, güç elektronik uygulamalarında anahtarlama görevlerini yerine getirir. SOT-227-4 paketinde sunulan modül, şasi montajına uygundur. Vce(on) değeri 15V gate voltajında 100A akımda maksimum 2V olup, kolektör-emiter breakover gerilimi 1200V'tir. -40°C ile 175°C arasında çalışma sıcaklığı aralığında kullanılabilir. Standart giriş tipine sahip bu transistör, endüstriyel invertör, motor kontrolü ve güç kaynağı uygulamalarında sık tercih edilir.
Teknik Özellikler
| Parametre | Değer |
|---|---|
| Configuration | Single |
| Current - Collector (Ic) (Max) | 100 A |
| Current - Collector Cutoff (Max) | 1 mA |
| IGBT Type | PT |
| Input | Standard |
| Input Capacitance (Cies) @ Vce | 8.55 nF @ 25 V |
| Mounting Type | Chassis Mount |
| NTC Thermistor | No |
| Operating Temperature | -40°C ~ 175°C (TJ) |
| Package / Case | SOT-227-4 |
| Part Status | Obsolete |
| Supplier Device Package | SOT-227 |
| Vce(on) (Max) @ Vge, Ic | 2V @ 15V, 100A |
| Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max) | 1200 V |
Kaynaklar
Datasheet
Datasheet mevcut değil
Pinout
Pinout mevcut değil
Eşdeğerler (Muadiller)
Eşdeğer (muadil) veri yok