Diyotlar - Doğrultucular - Tekil
GB05SLT12-252
DIODE SILICON 1.2KV 5A TO252
- Üretici
- GeneSiC Semiconductor
- Paket/Kılıf
- TO-252-3
- Kategori
- Diyotlar - Doğrultucular - Tekil
- Seri / Aile Numarası
- GB05SLT12
GB05SLT12-252 Hakkında
GB05SLT12-252, GeneSiC Semiconductor tarafından üretilen 1.2kV 5A Silicon Carbide Schottky diyotudur. TO-252 (DPak) SMD paketinde sunulan bu bileşen, yüksek voltaj uygulamalarında doğrultma işlevi görmektedir. 0 ns reverse recovery time ile ultrasonik hızda anahtarlama özelliği sunar. -55°C ile 175°C arasında çalışmaya uygun tasarlanmıştır. Maksimum 1.2kV ters voltaj kapasitesine ve 1.8V forward voltage @2A karakteristiğine sahiptir. Elektrik enerjisinin verimli dönüştürülmesi gereken güç kaynakları, invertörler ve endüstriyel anahtarlama uygulamalarında kullanılır. Düşük kapasite (260pF @1V) ve minimal reverse leakage current (50µA @1.2kV) sayesinde hassas uygulamalar için uygundur. Not: Ürün obsolete (üretim durdurulmuş) durumdadır.
Teknik Özellikler
| Parametre | Değer |
|---|---|
| Capacitance @ Vr, F | 260pF @ 1V, 1MHz |
| Current - Average Rectified (Io) | 5A |
| Current - Reverse Leakage @ Vr | 50 µA @ 1200 V |
| Diode Type | Silicon Carbide Schottky |
| Mounting Type | Surface Mount |
| Operating Temperature - Junction | -55°C ~ 175°C |
| Package / Case | TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63 |
| Part Status | Obsolete |
| Reverse Recovery Time (trr) | 0 ns |
| Speed | No Recovery Time > 500mA (Io) |
| Supplier Device Package | TO-252 |
| Voltage - DC Reverse (Vr) (Max) | 1200 V |
| Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If | 1.8 V @ 2 A |
Kaynaklar
Pinout
Pinout mevcut değil
Eşdeğerler (Muadiller)
Eşdeğer (muadil) veri yok