Diyotlar - Doğrultucular - Tekil
GB05SLT12-220
DIODE SCHOTTKY 1.2KV 5A TO220AC
- Üretici
- GeneSiC Semiconductor
- Paket/Kılıf
- TO-220-2
- Kategori
- Diyotlar - Doğrultucular - Tekil
- Seri / Aile Numarası
- GB05SLT12
GB05SLT12-220 Hakkında
GB05SLT12-220, GeneSiC Semiconductor tarafından üretilen 1.2kV/5A kapasiteli Silicon Carbide Schottky diyottur. TO-220-2 paket türünde sunulan bu komponent, yüksek voltaj doğrultma uygulamalarında kullanılır. 0 ns reverse recovery time özelliği ile hızlı anahtarlama performansı sağlar. Maximum 1.8V forward voltage @ 2A ile düşük enerji kaybı sunar. -55°C ile +175°C arasında stabil çalışır. Güç kaynakları, inverter devreleri, DC-DC konvertörleri ve endüstriyel doğrultma sistemlerinde yaygın olarak uygulanır. Mounting Type: Through Hole.
Teknik Özellikler
| Parametre | Değer |
|---|---|
| Capacitance @ Vr, F | 260pF @ 1V, 1MHz |
| Current - Average Rectified (Io) | 5A |
| Current - Reverse Leakage @ Vr | 50 µA @ 1200 V |
| Diode Type | Silicon Carbide Schottky |
| Mounting Type | Through Hole |
| Operating Temperature - Junction | -55°C ~ 175°C |
| Package / Case | TO-220-2 |
| Part Status | Obsolete |
| Reverse Recovery Time (trr) | 0 ns |
| Speed | No Recovery Time > 500mA (Io) |
| Supplier Device Package | TO-220-2 |
| Voltage - DC Reverse (Vr) (Max) | 1200 V |
| Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If | 1.8 V @ 2 A |
Kaynaklar
Datasheet
Datasheet mevcut değil
Pinout
Pinout mevcut değil
Eşdeğerler (Muadiller)
Eşdeğer (muadil) veri yok