Diyotlar - Doğrultucular - Tekil

GB05MPS33-263

SIC SCHOTTKY 3300V 5A TO-263-7

Paket/Kılıf
TO-263-8
Seri / Aile Numarası
GB05MPS33

GB05MPS33-263 Hakkında

GB05MPS33-263, GeneSiC Semiconductor tarafından üretilen Silicon Carbide Schottky diyottur. 3300V ters voltaj yeteneğine sahip bu bileşen, 5A nominal akımda çalışır ve TO-263-8 (D²Pak) yüzey montaj paketinde sunulur. 0 ns reverse recovery time karakteristiği sayesinde yüksek frekans uygulamalarında tercih edilir. -55°C ile 175°C arasında çalışan bu diyot, güç yönetimi devrelerinde, inverter uygulamalarında ve yüksek voltajlı anahtarlama devreleri için tasarlanmıştır. 3V @ 5A forward voltage ve 10µA @ 3000V ters sızıntı akımı özellikleri ile endüstriyel güç elektroniksi uygulamalarında kullanılır.

Teknik Özellikler

Parametre Değer
Capacitance @ Vr, F 288pF @ 1V, 1MHz
Current - Average Rectified (Io) 14A (DC)
Current - Reverse Leakage @ Vr 10 µA @ 3000 V
Diode Type Silicon Carbide Schottky
Mounting Type Surface Mount
Operating Temperature - Junction -55°C ~ 175°C
Package / Case TO-263-8, D²Pak (7 Leads + Tab), TO-263CA
Part Status Active
Reverse Recovery Time (trr) 0 ns
Speed No Recovery Time > 500mA (Io)
Supplier Device Package TO-263-7
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max) 3300 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If 3 V @ 5 A

Kaynaklar

Datasheet

GB05MPS33-263 PDF

İndir →

Pinout

Pinout mevcut değil

Eşdeğerler (Muadiller)

Eşdeğer (muadil) veri yok