Diyotlar - Doğrultucular - Tekil
GB02SLT12-252
DIODE SIC SCHKY 1.2KV 2A TO252
- Üretici
- GeneSiC Semiconductor
- Paket/Kılıf
- TO-252-3
- Kategori
- Diyotlar - Doğrultucular - Tekil
- Seri / Aile Numarası
- GB02SLT12
GB02SLT12-252 Hakkında
GB02SLT12-252, GeneSiC Semiconductor tarafından üretilen 1200V Silicon Carbide Schottky diyotudur. TO-252 (DPak) paketinde sunulan bu doğrultma diyotu, 2A nominal akım kapasitesi ile orta güç uygulamalarında kullanılır. Schottky yapısı sayesinde sıfır reverse recovery time (trr: 0 ns) özelliğine sahiptir, bu da anahtarlama kayıplarını minimize eder. Maksimum forward voltajı 1.8V @ 2A olup, düşük kondüktans kaybı sağlar. -55°C ile 175°C arasında çalışabilen bileşen, enerji dönüştürme, güç kaynakları ve yüksek frekans anahtarlama uygulamalarında tercih edilir. Reverse leakage akımı 1200V'de 50µA'dır.
Teknik Özellikler
| Parametre | Değer |
|---|---|
| Capacitance @ Vr, F | 131pF @ 1V, 1MHz |
| Current - Average Rectified (Io) | 5A (DC) |
| Current - Reverse Leakage @ Vr | 50 µA @ 1200 V |
| Diode Type | Silicon Carbide Schottky |
| Mounting Type | Surface Mount |
| Operating Temperature - Junction | -55°C ~ 175°C |
| Package / Case | TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63 |
| Part Status | Obsolete |
| Reverse Recovery Time (trr) | 0 ns |
| Speed | No Recovery Time > 500mA (Io) |
| Supplier Device Package | TO-252 |
| Voltage - DC Reverse (Vr) (Max) | 1200 V |
| Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If | 1.8 V @ 2 A |
Kaynaklar
Pinout
Pinout mevcut değil
Eşdeğerler (Muadiller)
Eşdeğer (muadil) veri yok