Diyotlar - Doğrultucular - Tekil
GB02SLT12-220
DIODE SCHOTTKY 1.2KV 2A TO220AC
- Üretici
- GeneSiC Semiconductor
- Paket/Kılıf
- TO-220-2
- Kategori
- Diyotlar - Doğrultucular - Tekil
- Seri / Aile Numarası
- GB02SLT12
GB02SLT12-220 Hakkında
GB02SLT12-220, GeneSiC Semiconductor tarafından üretilen 1.2kV/2A Silicon Carbide Schottky diyotudur. TO-220-2 paketinde sunulan bu bileşen, yüksek voltaj uygulamalarında doğrultma görevini üstlenir. Schottky diyotlar düşük ileri gerilim düşüşü ve sıfır recovery time özellikleri sayesinde anahtarlama devrelerinde, güç kaynakları, invertörler ve DC-DC konvertörlerde yaygın olarak kullanılır. Silicon Carbide teknolojisi, geleneksel silikon diyotlara kıyasla daha yüksek sıcaklık stabilitesi ve verimlilik sağlar. -55°C ile 175°C arasındaki çalışma sıcaklık aralığında güvenilir performans sunar. 1.8V @ 2A ileri gerilim düşüşü ve 50µA @ 1200V ters sızıntı akımı ile karakterize edilmiştir.
Teknik Özellikler
| Parametre | Değer |
|---|---|
| Capacitance @ Vr, F | 138pF @ 1V, 1MHz |
| Current - Average Rectified (Io) | 2A |
| Current - Reverse Leakage @ Vr | 50 µA @ 1200 V |
| Diode Type | Silicon Carbide Schottky |
| Mounting Type | Through Hole |
| Operating Temperature - Junction | -55°C ~ 175°C |
| Package / Case | TO-220-2 |
| Part Status | Obsolete |
| Reverse Recovery Time (trr) | 0 ns |
| Speed | No Recovery Time > 500mA (Io) |
| Supplier Device Package | TO-220-2 |
| Voltage - DC Reverse (Vr) (Max) | 1200 V |
| Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If | 1.8 V @ 2 A |
Kaynaklar
Datasheet
Datasheet mevcut değil
Pinout
Pinout mevcut değil
Eşdeğerler (Muadiller)
Eşdeğer (muadil) veri yok