Diyotlar - Doğrultucular - Tekil
GB02SHT06-46
DIODE SCHOTTKY 600V 4A
- Üretici
- GeneSiC Semiconductor
- Paket/Kılıf
- TO-206AB
- Kategori
- Diyotlar - Doğrultucular - Tekil
- Seri / Aile Numarası
- GB02SHT06
GB02SHT06-46 Hakkında
GB02SHT06-46, GeneSiC Semiconductor tarafından üretilen 600V 4A kapasitesinde Silicon Carbide Schottky diyottur. TO-46 metal kasa paketinde sunulan bu bileşen, yüksek voltaj uygulamalarında doğrultma işlemi için kullanılır. 225°C'ye kadar yüksek sıcaklıklarda çalışabilen diyot, sıfır reverse recovery time özelliğine sahiptir. 1.6V forward voltage ile düşük güç kaybı sağlar. Güç kaynakları, invertörler, AC/DC dönüştürücüler ve endüstriyel elektronik sistemlerde uygulanır. 76pF kapasitans değeri ve 5µA reverse leakage akımı ile stabil performans sunar.
Teknik Özellikler
| Parametre | Değer |
|---|---|
| Capacitance @ Vr, F | 76pF @ 1V, 1MHz |
| Current - Average Rectified (Io) | 4A (DC) |
| Current - Reverse Leakage @ Vr | 5 µA @ 600 V |
| Diode Type | Silicon Carbide Schottky |
| Mounting Type | Through Hole |
| Operating Temperature - Junction | -55°C ~ 225°C |
| Package / Case | TO-206AB, TO-46-3 Metal Can |
| Part Status | Active |
| Reverse Recovery Time (trr) | 0 ns |
| Speed | No Recovery Time > 500mA (Io) |
| Supplier Device Package | TO-46 |
| Voltage - DC Reverse (Vr) (Max) | 600 V |
| Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If | 1.6 V @ 1 A |
Kaynaklar
Pinout
Pinout mevcut değil
Eşdeğerler (Muadiller)
Eşdeğer (muadil) veri yok