Diyotlar - Doğrultucular - Tekil
GB02SHT01-46
DIODE SCHOTTKY 100V 4A
- Üretici
- GeneSiC Semiconductor
- Paket/Kılıf
- TO-206AB
- Kategori
- Diyotlar - Doğrultucular - Tekil
- Seri / Aile Numarası
- GB02SHT01
GB02SHT01-46 Hakkında
GB02SHT01-46, GeneSiC Semiconductor tarafından üretilen Silicon Carbide (SiC) Schottky diyottur. 100V ters voltaj ve 4A ortalama doğrultma akımı kapasitesine sahip bu bileşen, yüksek sıcaklık ortamlarında (-55°C ile 210°C arasında) güvenilir çalışma sunmaktadır. TO-46 metal kasa paketlemesinde üretilen diyot, sıfır reverse recovery time özelliği sayesinde yüksek frekans uygulamalarında tercih edilmektedir. 1.6V forward voltage ve düşük reverse leakage akımı (100V'de 5µA) ile enerji verimli tasarımları destekler. Anahtarlama güç kaynakları, enerji dönüştürme devreleri, fotovoltaik sistemler ve endüstriyel uygulamalarda yaygın olarak kullanılır.
Teknik Özellikler
| Parametre | Değer |
|---|---|
| Capacitance @ Vr, F | 76pF @ 1V, 1MHz |
| Current - Average Rectified (Io) | 4A (DC) |
| Current - Reverse Leakage @ Vr | 5 µA @ 100 V |
| Diode Type | Silicon Carbide Schottky |
| Mounting Type | Through Hole |
| Operating Temperature - Junction | -55°C ~ 210°C |
| Package / Case | TO-206AB, TO-46-3 Metal Can |
| Part Status | Active |
| Reverse Recovery Time (trr) | 0 ns |
| Speed | No Recovery Time > 500mA (Io) |
| Supplier Device Package | TO-46 |
| Voltage - DC Reverse (Vr) (Max) | 100 V |
| Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If | 1.6 V @ 1 A |
Kaynaklar
Pinout
Pinout mevcut değil
Eşdeğerler (Muadiller)
Eşdeğer (muadil) veri yok