Diyotlar - Doğrultucular - Tekil
GB01SLT12-252
DIODE SILICON 1.2KV 1A TO252
- Üretici
- GeneSiC Semiconductor
- Paket/Kılıf
- TO-252-3
- Kategori
- Diyotlar - Doğrultucular - Tekil
- Seri / Aile Numarası
- GB01SLT12
GB01SLT12-252 Hakkında
GB01SLT12-252, GeneSiC Semiconductor tarafından üretilen 1.2kV/1A kapasitesinde bir Silicon Carbide (SiC) Schottky diyotudur. TO-252 (DPak) yüzey montajlı paketlemede sunulan bu bileşen, 1.8V maksimum ön kapanma gerilimi ile düşük voltaj düşüşü sağlar. 0ns ters toparlanma süresi ile hızlı anahtarlama karakteristiği gösterir. -55°C ile 175°C arasında çalışabilen bu diyot, güç dönüştürücüleri, DC/DC converterleri, enerji geri kazanım sistemleri ve yüksek frekanslı anahtarlama uygulamalarında kullanılır. Schottky tipi yapısı sayesinde klasik silikon diyotlardan daha düşük forward voltage drop ve hızlı switching özellikleri ile tercih edilir.
Teknik Özellikler
| Parametre | Değer |
|---|---|
| Capacitance @ Vr, F | 69pF @ 1V, 1MHz |
| Current - Average Rectified (Io) | 1A |
| Current - Reverse Leakage @ Vr | 2 µA @ 1200 V |
| Diode Type | Silicon Carbide Schottky |
| Mounting Type | Surface Mount |
| Operating Temperature - Junction | -55°C ~ 175°C |
| Package / Case | TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63 |
| Part Status | Active |
| Reverse Recovery Time (trr) | 0 ns |
| Speed | No Recovery Time > 500mA (Io) |
| Supplier Device Package | TO-252 |
| Voltage - DC Reverse (Vr) (Max) | 1200 V |
| Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If | 1.8 V @ 1 A |
Kaynaklar
Pinout
Pinout mevcut değil
Eşdeğerler (Muadiller)
Eşdeğer (muadil) veri yok