Diyotlar - Doğrultucular - Tekil
GB01SLT12-220
DIODE SCHOTTKY 1.2KV 1A TO220AC
- Üretici
- GeneSiC Semiconductor
- Paket/Kılıf
- TO-220-2
- Kategori
- Diyotlar - Doğrultucular - Tekil
- Seri / Aile Numarası
- GB01SLT12
GB01SLT12-220 Hakkında
GB01SLT12-220, GeneSiC Semiconductor tarafından üretilen 1.2kV/1A kapasiteli Silicon Carbide Schottky diyottur. TO-220-2 paketinde sunulan bu komponent, düşük forward voltaj (1.8V @ 1A) ve sıfır reverse recovery time özellikleriyle hızlı anahtarlama uygulamalarında tercih edilir. -55°C ile 175°C arasında çalışabilen bu diyot, güç kaynakları, invertör devreleri, boost konvertörleri ve diğer yüksek frekanslı güç dönüştürme uygulamalarında doğrultma elemanı olarak kullanılır. 2µA @ 1200V ters kaçak akımı ve 69pF kapasitanslı yapısı, enerji verimliliğinin önemli olduğu sistemlerde tercih edilen bir çözümdür. Bileşen şu anda üretilmemektedir (Obsolete).
Teknik Özellikler
| Parametre | Değer |
|---|---|
| Capacitance @ Vr, F | 69pF @ 1V, 1MHz |
| Current - Average Rectified (Io) | 1A |
| Current - Reverse Leakage @ Vr | 2 µA @ 1200 V |
| Diode Type | Silicon Carbide Schottky |
| Mounting Type | Through Hole |
| Operating Temperature - Junction | -55°C ~ 175°C |
| Package / Case | TO-220-2 |
| Part Status | Obsolete |
| Reverse Recovery Time (trr) | 0 ns |
| Speed | No Recovery Time > 500mA (Io) |
| Supplier Device Package | TO-220-2 |
| Voltage - DC Reverse (Vr) (Max) | 1200 V |
| Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If | 1.8 V @ 1 A |
Kaynaklar
Datasheet
Datasheet mevcut değil
Pinout
Pinout mevcut değil
Eşdeğerler (Muadiller)
Eşdeğer (muadil) veri yok