Diyotlar - Doğrultucular - Tekil

GAP3SLT33-214

DIODE SCHOTTKY 3.3KV 300MA DO214

Paket/Kılıf
DO-214AA
Seri / Aile Numarası
GAP3SLT33

GAP3SLT33-214 Hakkında

GAP3SLT33-214, GeneSiC Semiconductor tarafından üretilen 3.3kV Silicon Carbide (SiC) Schottky diyottur. DO-214AA (SMB) yüzey montaj paketinde sunulan bu diyot, 300mA ortalama doğrultma akımı ve 2.2V forward voltajı ile çalışır. Reverse recovery time'ı 0ns olup, hızlı anahtarlama uygulamalarında kullanılır. -55°C ile 175°C arasında güvenilir işletme sağlar. Düşük ters sızıntı akımı (10µA @ 3300V) ve 42pF kapasitans değerleri ile yüksek voltaj uygulamalarında, anahtarlama güç kaynakları, inverter devreleri ve RF uygulamalarında tercih edilir. SiC teknolojisinden kaynaklanan düşük kayıplar, termal yönetimi kolaylaştırır.

Teknik Özellikler

Parametre Değer
Capacitance @ Vr, F 42pF @ 1V, 1MHz
Current - Average Rectified (Io) 300mA (DC)
Current - Reverse Leakage @ Vr 10 µA @ 3300 V
Diode Type Silicon Carbide Schottky
Mounting Type Surface Mount
Operating Temperature - Junction -55°C ~ 175°C
Package / Case DO-214AA, SMB
Part Status Active
Reverse Recovery Time (trr) 0 ns
Speed No Recovery Time > 500mA (Io)
Supplier Device Package DO-214AA
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max) 3300 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If 2.2 V @ 300 mA

Kaynaklar

Datasheet

GAP3SLT33-214 PDF

İndir →

Pinout

Pinout mevcut değil

Eşdeğerler (Muadiller)

Eşdeğer (muadil) veri yok