Transistörler - IGBT - Tekil
GA35XCP12-247
IGBT 1200V SOT247
- Üretici
- GeneSiC Semiconductor
- Paket/Kılıf
- TO-247-3
- Kategori
- Transistörler - IGBT - Tekil
- Seri / Aile Numarası
- GA35XCP12
GA35XCP12-247 Hakkında
GA35XCP12-247, GeneSiC Semiconductor tarafından üretilen 1200V IGBT transistörüdür. PT tipi bu bileşen, 35A pulses collector akımı ile yüksek gerilim uygulamalarında kullanılmaya uygundur. TO-247-3 paketinde sunulan transistör, 50nC gate charge ve 36ns reverse recovery time özelliklerine sahiptir. -40°C ile 150°C arasında çalışma sıcaklığı aralığında güvenli şekilde işletilir. Switching energy değerleri 800V, 35A test koşullarında on için 2.66mJ, off için 4.35mJ olarak belirtilmiştir. Vce(on) maksimum 3V'tir. Endüstriyel güç dönüştürme, motor kontrol ve anahtarlama uygulamalarında yaygın olarak kullanılır. Not: Bu parça üretim dışıdır (obsolete).
Teknik Özellikler
| Parametre | Değer |
|---|---|
| Current - Collector Pulsed (Icm) | 35 A |
| Gate Charge | 50 nC |
| IGBT Type | PT |
| Input Type | Standard |
| Mounting Type | Through Hole |
| Operating Temperature | -40°C ~ 150°C (TJ) |
| Package / Case | TO-247-3 |
| Part Status | Obsolete |
| Reverse Recovery Time (trr) | 36 ns |
| Supplier Device Package | TO-247AB |
| Switching Energy | 2.66mJ (on), 4.35mJ (off) |
| Test Condition | 800V, 35A, 22Ohm, 15V |
| Vce(on) (Max) @ Vge, Ic | 3V @ 15V, 35A |
| Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max) | 1200 V |
Kaynaklar
Datasheet
Datasheet mevcut değil
Pinout
Pinout mevcut değil
Eşdeğerler (Muadiller)
Eşdeğer (muadil) veri yok