Transistörler - Bipolar (BJT) - Ön Beslemeli Tekil
GA1L4M-T2-A
SMALL SIGNAL BIPOLAR TRANSISTOR
- Üretici
- Rochester Electronics
- Paket/Kılıf
- SC-70
- Seri / Aile Numarası
- GA1L4M
GA1L4M-T2-A Hakkında
GA1L4M-T2-A, Rochester Electronics tarafından üretilen NPN tipi ön beslemeli (pre-biased) bipolar junction transistör (BJT) olup, küçük sinyal uygulamaları için tasarlanmıştır. Surface mount SC-70 (SOT-323) paketinde sunulan bu bileşen, entegre base ve emitter dirençleri (her biri 47 kΩ) içerir. 100 mA maksimum collector akımı, 150 mW güç derecelendirilmesi ve 50V collector-emitter breakdown voltajı ile genel amaçlı amplifikasyon, anahtarlama ve sinyal işleme devrelerinde kullanılır. 95 minimum DC current gain (hFE) ve 200mV maksimum doyma voltajı ile kontrol ve lojik devrelerine uygun performans sunar. Ön beslemeli konfigürasyon sayesinde harici biyaslandırma dirençlerine gerek kalmaz, PCB alanı ve komponetn sayısı tasarımlarında tasarruf sağlar.
Teknik Özellikler
| Parametre | Değer |
|---|---|
| Current - Collector (Ic) (Max) | 100 mA |
| Current - Collector Cutoff (Max) | 100nA (ICBO) |
| DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce | 95 @ 50mA, 5V |
| Mounting Type | Surface Mount |
| Package / Case | SC-70, SOT-323 |
| Part Status | Obsolete |
| Power - Max | 150 mW |
| Resistor - Base (R1) | 47 kOhms |
| Resistor - Emitter Base (R2) | 47 kOhms |
| Supplier Device Package | SC-70 |
| Transistor Type | NPN - Pre-Biased |
| Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic | 200mV @ 250µA, 5mA |
| Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max) | 50 V |
Kaynaklar
Datasheet
Datasheet mevcut değil
Pinout
Pinout mevcut değil
Eşdeğerler (Muadiller)
Eşdeğer (muadil) veri yok