RF Diyotlar
GA01PNS80-220
RF DIODE PIN 8000V
- Üretici
- GeneSiC Semiconductor
- Paket/Kılıf
- Axial
- Kategori
- RF Diyotlar
- Seri / Aile Numarası
- GA01PNS80
GA01PNS80-220 Hakkında
GA01PNS80-220, GeneSiC Semiconductor tarafından üretilen yüksek voltaj RF PIN diyotudur. 8000V pik ters voltaj (Vr) kapasitesi ile tasarlanmış olup, RF ve microwave uygulamalarında anahtarlama ve attenüasyon kontrol işlevlerini gerçekleştirir. PIN diyot yapısı sayesinde forward bias altında düşük direnç, reverse bias altında kapasitif davranış gösterir. 2A maksimum akım kapasitesi ile orta güç seviyesi uygulamalarında kullanılabilir. -55°C ile 175°C arasında çalışma sıcaklığı aralığında stabil performans sunar. Axial kasa tipinde sunulan bileşen, yüksek voltaj RF anahtarlaması, veri modülasyonu ve otomatik kazanç kontrol (AGC) devrelerinde uygulanır.
Teknik Özellikler
| Parametre | Değer |
|---|---|
| Capacitance @ Vr, F | 4pF @ 1000V, 1MHz |
| Current - Max | 2 A |
| Diode Type | PIN - Single |
| Operating Temperature | -55°C ~ 175°C (TJ) |
| Package / Case | Axial |
| Part Status | Active |
| Voltage - Peak Reverse (Max) | 8000V |
Kaynaklar
Pinout
Pinout mevcut değil
Eşdeğerler (Muadiller)
Eşdeğer (muadil) veri yok