RF Diyotlar

GA01PNS150-201

SIC DIODE 15000V 1A DO-201

Paket/Kılıf
Axial
Kategori
RF Diyotlar
Seri / Aile Numarası
GA01PNS150

GA01PNS150-201 Hakkında

GA01PNS150-201, GeneSiC Semiconductor tarafından üretilen yüksek voltaj PIN diyotudur. 15000V tepe ters voltaj ve 1A akım yeteneği ile, güç elektronikleri ve RF uygulamalarında kullanılmak üzere tasarlanmıştır. SiC (Silisyum Karbür) teknolojisine dayanan bu bileşen, -55°C ile 175°C arasında çalışır. DO-201AD axial paket ile sunulan diyot, 1MHz'de 22pF kapasitansa sahiptir. Enerji dönüştürme sistemleri, yüksek voltaj anahtarlama devreleri ve RF uygulamalarında kullanılır.

Teknik Özellikler

Parametre Değer
Capacitance @ Vr, F 22pF @ 1V, 1MHz
Current - Max 1 A
Diode Type PIN - Single
Operating Temperature -55°C ~ 175°C (TJ)
Package / Case DO-201AD, Axial
Part Status Active
Supplier Device Package DO-201
Voltage - Peak Reverse (Max) 15000V

Kaynaklar

Datasheet

GA01PNS150-201 PDF

İndir →

Pinout

Pinout mevcut değil

Eşdeğerler (Muadiller)

Eşdeğer (muadil) veri yok