Transistörler - FET, MOSFET - Diziler
G33N03D3
N30V,RD(MAX)<12M@10V,RD(MAX)<13M
- Üretici
- Goford Semiconductor
- Paket/Kılıf
- 8-PowerVDFN
- Seri / Aile Numarası
- G33N03D3
G33N03D3 Hakkında
G33N03D3, Goford Semiconductor tarafından üretilen 2 N-Channel dual MOSFET transistördür. 30V Drain-Source voltaj ile tasarlanan bu bileşen, maksimum 33A sürekli drain akımını destekler. 10V'da 12mOhm'luk düşük Rds(On) değeri ile güç uygulamalarında verimli çalışır. Surface Mount paketi (8-PowerVDFN, 3x3mm) sayesinde yoğun PCB tasarımlarına uyarlanabilir. Gate kapasitansi 1938pF ve kapı yükü 17.5nC ile hızlı anahtarlama işlemlerine olanak tanır. -55°C ile 150°C arasında çalışma sıcaklığı aralığında güvenilir performans sağlar. Motor kontrol, güç dönüştürücüler, şarj devreleri ve anahtarlama uygulamalarında yaygın olarak kullanılır.
Teknik Özellikler
| Parametre | Değer |
|---|---|
| Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C | 33A (Tc) |
| Drain to Source Voltage (Vdss) | 30V |
| FET Feature | Standard |
| FET Type | 2 N-Channel (Dual) |
| Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 17.5nC @ 10V |
| Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds | 1938pF @ 15V |
| Mounting Type | Surface Mount |
| Operating Temperature | -55°C ~ 150°C (TJ) |
| Package / Case | 8-PowerVDFN |
| Part Status | Active |
| Power - Max | 20W (Tc) |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 12mOhm @ 18A, 10V |
| Supplier Device Package | 8-DFN (3x3) |
| Vgs(th) (Max) @ Id | 1.1V @ 250µA |
Kaynaklar
Datasheet
Datasheet mevcut değil
Pinout
Pinout mevcut değil
Eşdeğerler (Muadiller)
Eşdeğer (muadil) veri yok