IGBT Transistörler - Modüller

FZ825R33HE4DBPSA1

HV B SINGLE SWITCH POWER MODULES

Paket/Kılıf
Module
Seri / Aile Numarası
FZ825R33HE4

FZ825R33HE4DBPSA1 Hakkında

FZ825R33HE4DBPSA1, Infineon Technologies tarafından üretilen yüksek güçlü IGBT transistör modülüdür. Trench Field Stop teknolojisi ile tasarlanan bu cihaz, Single Switch konfigürasyonunda 825 A kollektör akımı ve 3300 V kırılma gerilimi ile çalışmaktadır. Vce(on) değeri 15V gate geriliminde 2.65V olup, maksimum 2.4 MW güç kapasitesine sahiptir. Chassis mount tipi paketleme ile sağlanan modül, -40°C ile 150°C arasında çalışabilmektedir. Endüstriyel güç dönüştürücü uygulamaları, motor kontrol devreleri, güç kaynakları ve enerji iletim sistemlerinde kullanılır. Standard input tipi ve 93.5 nF input kapasitansi ile hızlı anahtarlama özellikleri sunar.

Teknik Özellikler

Parametre Değer
Configuration Single Switch
Current - Collector (Ic) (Max) 825 A
Current - Collector Cutoff (Max) 5 mA
IGBT Type Trench Field Stop
Input Standard
Input Capacitance (Cies) @ Vce 93.5 nF @ 25 V
Mounting Type Chassis Mount
NTC Thermistor No
Operating Temperature -40°C ~ 150°C (TJ)
Package / Case Module
Part Status Active
Power - Max 2.4 MW
Supplier Device Package AG-IHVB130-3
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic 2.65V @ 15V, 825A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max) 3300 V

Kaynaklar

Datasheet

Datasheet mevcut değil

Pinout

Pinout mevcut değil

Eşdeğerler (Muadiller)

Eşdeğer (muadil) veri yok