IGBT Transistörler - Modüller

FZ750R65KE3C1NOSA1

IHV IHM T XHP 3 3-6 5K

Paket/Kılıf
Module
Seri / Aile Numarası
FZ750R65KE3C1

FZ750R65KE3C1NOSA1 Hakkında

Infineon Technologies tarafından üretilen FZ750R65KE3C1NOSA1, yüksek akım kapasitesi ve voltaj dayanımına sahip bir IGBT transistör modülüdür. Trench Field Stop teknolojisi kullanılarak tasarlanan bu bileşen, 750A maksimum kolektör akımı ve 6500V kırılma voltajı ile endüstriyel uygulamalarda kullanılır. Şasi montajlı konfigürasyonuyla güç dönüştürme, motor kontrolü ve elektrik konversiyon sistemlerinde yer alır. -50°C ile 125°C arasında işletilmek üzere tasarlanmış olup, standart giriş yapısı ve düşük açık voltajı (3.4V @ 750A) sayesinde enerji kaybını minimize eder. A-IHV190-6 paket standartında sunulan modül, 3MW'ye kadar güç uygulamalarında kullanılabilir.

Teknik Özellikler

Parametre Değer
Configuration Single Switch
Current - Collector (Ic) (Max) 750 A
Current - Collector Cutoff (Max) 5 mA
IGBT Type Trench Field Stop
Input Standard
Input Capacitance (Cies) @ Vce 205 nF @ 25 V
Mounting Type Chassis Mount
NTC Thermistor No
Operating Temperature -50°C ~ 125°C (TJ)
Package / Case Module
Part Status Active
Power - Max 3000000 W
Supplier Device Package A-IHV190-6
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic 3.4V @ 15V, 750A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max) 6500 V

Kaynaklar

Datasheet

Datasheet mevcut değil

Pinout

Pinout mevcut değil

Eşdeğerler (Muadiller)

Eşdeğer (muadil) veri yok