IGBT Transistörler - Modüller
FZ500R65KE3NOSA1
IGBT MODULE 6500V 1000A
- Üretici
- Infineon Technologies
- Paket/Kılıf
- Module
- Kategori
- IGBT Transistörler - Modüller
- Seri / Aile Numarası
- FZ500R65KE3
FZ500R65KE3NOSA1 Hakkında
FZ500R65KE3NOSA1, Infineon Technologies tarafından üretilen 6500V 1000A kapasiteli IGBT transistör modülüdür. Half Bridge konfigürasyonunda tasarlanan bu modül, yüksek gerilim ve yüksek akım uygulamalarında kullanılmak üzere geliştirilmiştir. Vce(on) değeri 3.4V (15V gate geriliminde, 500A akımda) olarak belirlenmiştir. Maksimum Collector-Emitter arası kırılma gerilimi 6500V'dur. Geniş çalışma sıcaklık aralığı (-50°C ~ 125°C) ile endüstriyel uygulamalarda güvenilir performans sağlar. Chassis mount tipi kasa ile doğrudan montaj imkanı sunan modül, güç kaynakları, inverterler ve yüksek gerilim anahtarlama sistemlerinde yaygın olarak kullanılır.
Teknik Özellikler
| Parametre | Değer |
|---|---|
| Configuration | Half Bridge |
| Current - Collector (Ic) (Max) | 1000 A |
| Current - Collector Cutoff (Max) | 5 mA |
| Input | Standard |
| Input Capacitance (Cies) @ Vce | 135 nF @ 25 V |
| Mounting Type | Chassis Mount |
| NTC Thermistor | No |
| Operating Temperature | -50°C ~ 125°C |
| Package / Case | Module |
| Part Status | Active |
| Power - Max | 2000000 W |
| Supplier Device Package | Module |
| Vce(on) (Max) @ Vge, Ic | 3.4V @ 15V, 500A |
| Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max) | 6500 V |
Kaynaklar
Datasheet
Datasheet mevcut değil
Pinout
Pinout mevcut değil
Eşdeğerler (Muadiller)
Eşdeğer (muadil) veri yok