IGBT Transistörler - Modüller
FZ2000R33HE4BOSA1
IGBT MOD IHV IHM T XHP 3 3-6 5K
- Üretici
- Infineon Technologies
- Paket/Kılıf
- Module
- Kategori
- IGBT Transistörler - Modüller
- Seri / Aile Numarası
- FZ2000R33HE4
FZ2000R33HE4BOSA1 Hakkında
FZ2000R33HE4BOSA1, Infineon Technologies tarafından üretilen yüksek akım IGBT modülüdür. Single Switch konfigürasyonunda tasarlanan bu komponent, 2000 A maksimum collector akımı ve 3300 V breakdown voltajı ile güç elektronikleri uygulamalarında kullanılır. Trench Field Stop IGBT teknolojisi ile üretilmiş olan modül, endüstriyel konvertörler, kaynak makinaları, UPS sistemleri ve yenilenebilir enerji sistemlerinde anahtarlama elemanı olarak görev yapar. -40°C ile 150°C arası çalışma sıcaklık aralığına sahip olan komponent, Chassis Mount tipi kasa ile sunulmaktadır. 2.2V tipik Vce(on) değeri ve 280 nF input kapasitansı ile verimli anahtarlama performansı sağlar.
Teknik Özellikler
| Parametre | Değer |
|---|---|
| Configuration | Single Switch |
| Current - Collector (Ic) (Max) | 2000 A |
| Current - Collector Cutoff (Max) | 5 mA |
| IGBT Type | Trench Field Stop |
| Input | Standard |
| Input Capacitance (Cies) @ Vce | 280 nF @ 25 V |
| Mounting Type | Chassis Mount |
| NTC Thermistor | No |
| Operating Temperature | -40°C ~ 150°C (TJ) |
| Package / Case | Module |
| Part Status | Active |
| Power - Max | 4.2 mW |
| Supplier Device Package | AG-IHVB190-3 |
| Vce(on) (Max) @ Vge, Ic | 2.2V @ 15V, 2kA (Typ) |
| Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max) | 3300 V |
Kaynaklar
Datasheet
Datasheet mevcut değil
Pinout
Pinout mevcut değil
Eşdeğerler (Muadiller)
Eşdeğer (muadil) veri yok