IGBT Transistörler - Modüller
FZ1800R17KF4NOSA1
FZ1800R17 - INSULATED GATE BIPOL
- Üretici
- Rochester Electronics
- Paket/Kılıf
- Module
- Kategori
- IGBT Transistörler - Modüller
- Seri / Aile Numarası
- FZ1800R17
FZ1800R17KF4NOSA1 Hakkında
FZ1800R17KF4NOSA1, Rochester Electronics tarafından üretilen 3 bağımsız IGBT transistör modülüdür. Trench Field Stop teknolojisi kullanılarak tasarlanan bu modül, 1200V collector-emitter breakdown voltajı ve 3560A maksimum collector akımı ile yüksek güç uygulamalarında kullanılır. 13500W maksimum güç kapasitesi ile endüstriyel sürücü sistemleri, enerji dönüştürme üniteleri ve motor kontrol uygulamalarında tercih edilir. Chassis mount konfigürasyonunda sunulan bileşen, -40°C ile 150°C arasında çalışma sıcaklığı aralığında güvenilir performans sağlar. Vce(on) 2.1V değeri ile düşük iletim kaybı ve 150 nF giriş kapasitansı hızlı anahtarlama operasyonlarını destekler.
Teknik Özellikler
| Parametre | Değer |
|---|---|
| Configuration | 3 Independent |
| Current - Collector (Ic) (Max) | 3560 A |
| Current - Collector Cutoff (Max) | 5 mA |
| IGBT Type | Trench Field Stop |
| Input | Standard |
| Input Capacitance (Cies) @ Vce | 150 nF @ 25 V |
| Mounting Type | Chassis Mount |
| NTC Thermistor | No |
| Operating Temperature | -40°C ~ 150°C (TJ) |
| Package / Case | Module |
| Part Status | Active |
| Power - Max | 13500 W |
| Supplier Device Package | Module |
| Vce(on) (Max) @ Vge, Ic | 2.1V @ 15V, 2.4kA |
| Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max) | 1200 V |
Kaynaklar
Datasheet
Datasheet mevcut değil
Pinout
Pinout mevcut değil
Eşdeğerler (Muadiller)
Eşdeğer (muadil) veri yok