IGBT Transistörler - Modüller

FZ1800R12HP4B9HOSA2

IGBT MODULE 1200V 2700A

Paket/Kılıf
Module
Seri / Aile Numarası
FZ1800R12HP4B9

FZ1800R12HP4B9HOSA2 Hakkında

FZ1800R12HP4B9HOSA2, Rochester Electronics tarafından üretilen 1200V/2700A kapasiteli IGBT (Insulated Gate Bipolar Transistor) modülüdür. Single Switch konfigürasyonunda tasarlanmış bu trench tipi IGBT modülü, yüksek akım uygulamalarında anahtarlama elemanı olarak kullanılır. Maksimum 10500W güç kapasitesi ile endüstriyel sürücüler, konverterler, kaynakçı devreler ve renewable energy sistemlerinde tercih edilir. Vce(on) değeri 15V gate voltajında 1800A akımda 2.05V olup, -40°C ile 150°C arasında güvenli çalışma sağlar. Chassis mount tipi montaj seçeneği ile yüksek akım uygulamalarında soğutma yüzeylerine direkt bağlantı imkanı sunar. Standard giriş karakteristiği ve 110nF input kapasitansi ile hızlı anahtarlama performansı verir.

Teknik Özellikler

Parametre Değer
Configuration Single Switch
Current - Collector (Ic) (Max) 2700 A
Current - Collector Cutoff (Max) 5 mA
IGBT Type Trench
Input Standard
Input Capacitance (Cies) @ Vce 110 nF @ 25 V
Mounting Type Chassis Mount
NTC Thermistor No
Operating Temperature -40°C ~ 150°C
Package / Case Module
Part Status Active
Power - Max 10500 W
Supplier Device Package Module
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic 2.05V @ 15V, 1800A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max) 1200 V

Kaynaklar

Datasheet

Datasheet mevcut değil

Pinout

Pinout mevcut değil

Eşdeğerler (Muadiller)

Eşdeğer (muadil) veri yok