IGBT Transistörler - Modüller
FZ1200R45HL3S7BPSA1
IHV IHM T XHP 3 3-6 5K AG-IHVB19
- Üretici
- Infineon Technologies
- Paket/Kılıf
- Module
- Kategori
- IGBT Transistörler - Modüller
- Seri / Aile Numarası
- FZ1200R45HL3S7
FZ1200R45HL3S7BPSA1 Hakkında
FZ1200R45HL3S7BPSA1, Infineon Technologies tarafından üretilen yüksek voltaj IGBT modülüdür. Trench Field Stop teknolojisine dayalı bu tek anahtar konfigürasyonlu transistör, 1200A maksimum kollektör akımı ve 5900V kesintisiz gerilim kapasitesi ile tasarlanmıştır. 2.4 MW güç kapasitesi ile endüstriyel uygulamalarda kullanılır. Chassi montajlı AG-IHVB190 paketinde sunulan komponent, -40°C ile +150°C sıcaklık aralığında çalışabilir. 15V Vge'de 2.8V Vce(on) değerine sahiptir. Güç elektroniği, enerji dönüştürme sistemleri ve motor sürücü uygulamalarında tercih edilen bir modüldür.
Teknik Özellikler
| Parametre | Değer |
|---|---|
| Configuration | Single Switch |
| Current - Collector (Ic) (Max) | 1200 A |
| Current - Collector Cutoff (Max) | 5 mA |
| IGBT Type | Trench Field Stop |
| Input | Standard |
| Input Capacitance (Cies) @ Vce | 280 nF @ 25 V |
| Mounting Type | Chassis Mount |
| NTC Thermistor | No |
| Operating Temperature | -40°C ~ 150°C (TJ) |
| Package / Case | Module |
| Part Status | Active |
| Power - Max | 2.4 MW |
| Supplier Device Package | AG-IHVB190 |
| Vce(on) (Max) @ Vge, Ic | 2.8V @ 15V, 1.2kA |
| Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max) | 5900 V |
Kaynaklar
Datasheet
Datasheet mevcut değil
Pinout
Pinout mevcut değil
Eşdeğerler (Muadiller)
Eşdeğer (muadil) veri yok