IGBT Transistörler - Modüller

FZ1000R33HL3B60BOSA1

IHV IHM T XHP 3 3-6 5K AG-IHVB13

Paket/Kılıf
Module
Seri / Aile Numarası
FZ1000R33HL3B

FZ1000R33HL3B60BOSA1 Hakkında

FZ1000R33HL3B60BOSA1, Infineon Technologies tarafından üretilen yüksek güçlü IGBT transistör modülüdür. Dual Brake Chopper konfigürasyonunda tasarlanan bu komponent, 1000A collector akımı ve 3300V breakdown voltajı ile endüstriyel güç dönüştürme uygulamalarında kullanılır. Trench Field Stop teknolojisine sahip olan modül, 1.6 MW maksimum güç kapasitesine ve -40°C ile +150°C arasında çalışma sıcaklığı aralığına sahiptir. Düşük Vce(on) değeri (2.85V @ 15V, 1kA) ile enerji kaybını minimize eder. Chassi montaj tipine sahip AG-IHVB130-3 paketi, sürücü devreler, motor kontrol uygulamaları, konverterler ve UPS sistemlerinde tercih edilir.

Teknik Özellikler

Parametre Değer
Configuration Dual Brake Chopper
Current - Collector (Ic) (Max) 1000 A
Current - Collector Cutoff (Max) 5 mA
IGBT Type Trench Field Stop
Input Standard
Input Capacitance (Cies) @ Vce 190 nF @ 25 V
Mounting Type Chassis Mount
NTC Thermistor No
Operating Temperature -40°C ~ 150°C (TJ)
Package / Case Module
Part Status Active
Power - Max 1.6 MW
Supplier Device Package AG-IHVB130-3
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic 2.85V @ 15V, 1kA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max) 3300 V

Kaynaklar

Datasheet

Datasheet mevcut değil

Pinout

Pinout mevcut değil

Eşdeğerler (Muadiller)

Eşdeğer (muadil) veri yok