IGBT Transistörler - Modüller
FZ1000R33HE3C1NOSA1
IHV IHM T XHP 3 3-6 5K
- Üretici
- Infineon Technologies
- Paket/Kılıf
- Module
- Kategori
- IGBT Transistörler - Modüller
- Seri / Aile Numarası
- FZ1000R33HE3
FZ1000R33HE3C1NOSA1 Hakkında
FZ1000R33HE3C1NOSA1, Infineon Technologies tarafından üretilen yüksek voltaj IGBT modülü olup, 3300V Collector-Emitter breakdown voltajı ile çalışır. Trench Field Stop teknolojisi kullanılarak tasarlanan bu bileşen, maksimum 1kA collector akımı kapasitesine sahiptir. Vce(on) değeri 15V gate voltajında 1kA akımda 3.1V olarak belirtilmiştir. Chassis mount tipi metal paket ile sağlanan modül, -40°C ile +150°C arasında çalışabilir. 1600kW güç kapasitesi ile endüstriyel uygulamalarda, motor kontrolü, invertör ve kaynak cihazları gibi yüksek güç elektronik sistemlerinde tercih edilir. Standard input konfigürasyonu ve 190nF giriş kapasitansı ile hızlı switching karakteristiği sağlar.
Teknik Özellikler
| Parametre | Değer |
|---|---|
| Configuration | Single Switch |
| Current - Collector (Ic) (Max) | 1 kA |
| Current - Collector Cutoff (Max) | 5 mA |
| IGBT Type | Trench Field Stop |
| Input | Standard |
| Input Capacitance (Cies) @ Vce | 190 nF @ 25 V |
| Mounting Type | Chassis Mount |
| NTC Thermistor | No |
| Operating Temperature | -40°C ~ 150°C (TJ) |
| Package / Case | Module |
| Part Status | Active |
| Power - Max | 1600000 W |
| Supplier Device Package | AG-IHVB130-3 |
| Vce(on) (Max) @ Vge, Ic | 3.1V @ 15V, 1kA |
| Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max) | 3300 V |
Kaynaklar
Datasheet
Datasheet mevcut değil
Pinout
Pinout mevcut değil
Eşdeğerler (Muadiller)
Eşdeğer (muadil) veri yok