IGBT Transistörler - Modüller

FZ1000R33HE3B60BPSA1

IHV IHM T XHP 3 3-6 5K AG-IHVB13

Paket/Kılıf
Module
Seri / Aile Numarası
FZ1000R33HE3B60

FZ1000R33HE3B60BPSA1 Hakkında

FZ1000R33HE3B60BPSA1, Infineon Technologies tarafından üretilen yüksek güçlü IGBT transistör modülüdür. Trench Field Stop teknolojisi ile tasarlanan bu komponent, 1000 A kollektör akımı ve 3300 V gerilim dayanımına sahiptir. Maksimum 1.6 MW güç yönetebilen bu modül, endüstriyel uygulamalar, güç kaynakları, motor kontrol sistemleri ve yüksek gerilim dönüştürücüler gibi alanlarda kullanılır. Chassis mount konfigürasyonu ile tasarlanan komponent, -40°C ile +150°C arasında çalışma sıcaklığı aralığında güvenli operasyon sağlar. AG-IHVB130-3 paket standardı ile sunulan bu transistör, single switch konfigürasyonunda standart giriş özelliğine sahiptir.

Teknik Özellikler

Parametre Değer
Configuration Single Switch
Current - Collector (Ic) (Max) 1000 A
Current - Collector Cutoff (Max) 5 mA
IGBT Type Trench Field Stop
Input Standard
Input Capacitance (Cies) @ Vce 190 nF @ 25 V
Mounting Type Chassis Mount
NTC Thermistor No
Operating Temperature -40°C ~ 150°C (TJ)
Package / Case Module
Part Status Active
Power - Max 1.6 MW
Supplier Device Package AG-IHVB130-3
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic 3.1V @ 15V, 1kA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max) 3300 V

Kaynaklar

Datasheet

Datasheet mevcut değil

Pinout

Pinout mevcut değil

Eşdeğerler (Muadiller)

Eşdeğer (muadil) veri yok