Transistörler - FET, MOSFET - Diziler
FW276-TL-2H
POWER FIELD-EFFECT TRANSISTOR
- Üretici
- Rochester Electronics
- Paket/Kılıf
- 8-SOIC
- Seri / Aile Numarası
- FW276
FW276-TL-2H Hakkında
FW276-TL-2H, Rochester Electronics tarafından üretilen dual N-Channel power MOSFET transistörüdür. 450V drain-source voltaj kapasitesi ve 700mA sürekli drain akımı ile orta güçlü uygulamalarda kullanılır. Logic level gate özelliği sayesinde 10V sürüş voltajı ile çalışabilir. 1.6W maksimum güç dağılımı ve 12.1Ω RDS(on) değerleri ile anahtarlama uygulamaları, güç yönetimi devrelerinde ve motor kontrollerinde yer alabilir. Surface mount 8-SOIC paket formatında sunulur. Maksimum 150°C işletme sıcaklığına sahiptir.
Teknik Özellikler
| Parametre | Değer |
|---|---|
| Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C | 700mA (Tc) |
| Drain to Source Voltage (Vdss) | 450V |
| FET Feature | Logic Level Gate, 10V Drive |
| FET Type | 2 N-Channel (Dual) |
| Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 3.7nC @ 10V |
| Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds | 55pF @ 20V |
| Mounting Type | Surface Mount |
| Operating Temperature | 150°C (TJ) |
| Part Status | Obsolete |
| Power - Max | 1.6W (Tc) |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 12.1Ohm @ 350mA, 10V |
| Supplier Device Package | 8-SOIC |
| Vgs(th) (Max) @ Id | 4.5V @ 1mA |
Kaynaklar
Datasheet
Datasheet mevcut değil
Pinout
Pinout mevcut değil
Eşdeğerler (Muadiller)
Eşdeğer (muadil) veri yok