Transistörler - Bipolar (BJT) - Tekil

FSB660A

TRANS PNP 60V 2A 3SSOT

Üretici
onsemi
Paket/Kılıf
TO-236-3
Seri / Aile Numarası
FSB660A

FSB660A Hakkında

FSB660A, onsemi tarafından üretilen PNP tip bipolar transistördür. SOT-23-3 yüzey montaj paketinde sunulan bu komponent, maksimum 2A kolektör akımı ve 60V collector-emitter breakdown voltajı ile orta güç uygulamalarında kullanılmaya uygundur. 75MHz transition frequency ve 250'den (en az) başlayan DC current gain (hFE) değerleri ile genel amaçlı anahtarlama ve amplifikasyon devrelerinde tercih edilir. 500mW maksimum güç seviyesi ve -55°C ile +150°C çalışma sıcaklık aralığı, bu transistörü çeşitli tüketici ve endüstriyel uygulamalarda kullanılabilir hale getirir. Audio amplifikasyon, güç yönetimi ve sinyal anahtarlaması uygulamalarında yaygın olarak tercih edilir.

Teknik Özellikler

Parametre Değer
Current - Collector (Ic) (Max) 2 A
Current - Collector Cutoff (Max) 100nA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce 250 @ 500mA, 2V
Frequency - Transition 75MHz
Mounting Type Surface Mount
Operating Temperature -55°C ~ 150°C (TJ)
Package / Case TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Part Status Active
Power - Max 500 mW
Supplier Device Package SOT-23-3
Transistor Type PNP
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic 300mV @ 200mA, 2A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max) 60 V

Kaynaklar

Datasheet

Datasheet mevcut değil

Pinout

Pinout mevcut değil

Eşdeğerler (Muadiller)

Eşdeğer (muadil) veri yok