Transistörler - Bipolar (BJT) - Tekil

FSB660

TRANS PNP 60V 2A 3SSOT

Paket/Kılıf
TO-236-3
Seri / Aile Numarası
FSB660

FSB660 Hakkında

FSB660, Rochester Electronics tarafından üretilen Surface Mount PNP bipolar transistördür. 60V kolektör-emitter gerilimi, 2A maksimum kolektör akımı ve 500mW güç disipasyonuna sahiptir. TO-236-3 / SOT-23-3 paketinde sunulan bu transistör, 75MHz transition frequency ile hızlı anahtarlama uygulamalarında kullanılabilir. -55°C ile 150°C arasında çalışan FSB660, endüstriyel ve tüketici elektroniklerinde amplifikasyon, anahtarlama ve sürücü devrelerinde yer bulur. Minimum 100 @ 500mA, 2V DC akım kazancı (hFE) ve 350mV doyum gerilimi ile tasarlanmıştır.

Teknik Özellikler

Parametre Değer
Current - Collector (Ic) (Max) 2 A
Current - Collector Cutoff (Max) 100nA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce 100 @ 500mA, 2V
Frequency - Transition 75MHz
Mounting Type Surface Mount
Operating Temperature -55°C ~ 150°C (TJ)
Package / Case TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Part Status Obsolete
Power - Max 500 mW
Supplier Device Package SOT-23-3
Transistor Type PNP
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic 350mV @ 200mA, 2A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max) 60 V

Kaynaklar

Datasheet

Datasheet mevcut değil

Pinout

Pinout mevcut değil

Eşdeğerler (Muadiller)

Eşdeğer (muadil) veri yok