Transistörler - Bipolar (BJT) - Tekil

FSB560A

TRANS NPN 60V 2A SSOT-3

Üretici
onsemi
Paket/Kılıf
TO-236-3
Seri / Aile Numarası
FSB560A

FSB560A Hakkında

FSB560A, onsemi tarafından üretilen bir NPN bipolar junction transistör (BJT) olup, SO-23 yüzey montaj paketinde sunulmaktadır. 60V collector-emitter diyel gerilimi ve 2A maksimum collector akımı ile çalışabilen bu bileşen, 500mW güç kapasitesine sahiptir. 75MHz transition frequency ile hızlı anahtarlama uygulamalarında tercih edilir. DC current gain 250 (hFE @ 500mA, 2V) değerine ulaşan transistör, -55°C ile +150°C sıcaklık aralığında çalışabilir. 300mV'lik saturation voltajı ile düşük kayıplı anahtarlama sağlar. Endüstriyel kontrol, sinyal amplifikasyon ve genel amaçlı anahtarlama devrelerinde yaygın olarak kullanılır.

Teknik Özellikler

Parametre Değer
Current - Collector (Ic) (Max) 2 A
Current - Collector Cutoff (Max) 100nA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce 250 @ 500mA, 2V
Frequency - Transition 75MHz
Mounting Type Surface Mount
Operating Temperature -55°C ~ 150°C (TJ)
Package / Case TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Part Status Active
Power - Max 500 mW
Supplier Device Package SOT-23-3
Transistor Type NPN
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic 300mV @ 200mA, 2A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max) 60 V

Kaynaklar

Datasheet

Datasheet mevcut değil

Pinout

Pinout mevcut değil

Eşdeğerler (Muadiller)

Eşdeğer (muadil) veri yok