IGBT Transistörler - Modüller

FS75R12W2T7B11BOMA1

IGBT MOD 1200V 75A

Paket/Kılıf
Module
Seri / Aile Numarası
FS75R12W2T7B11

FS75R12W2T7B11BOMA1 Hakkında

Infineon Technologies tarafından üretilen FS75R12W2T7B11BOMA1, Full Bridge konfigürasyonlu 1200V/75A IGBT modülüdür. Trench Field Stop teknolojisine sahip bu bileşen, Vce(on) değeri tipik olarak 1.55V (15V gate voltajında, 75A akımda) olan anahtarlama uygulamalarında kullanılır. -40°C ile +175°C arasında çalışabilen modül, dönerli motor sürücüleri, kaynak makinaları, güç kaynakları ve endüstriyel inverter uygulamalarında yaygın olarak tercih edilir. Chassis mount paketinde sunulan bileşen, 1200V breakdown voltajı ile yüksek gerilim uygulamalarına uygundur.

Teknik Özellikler

Parametre Değer
Configuration Full Bridge
Current - Collector (Ic) (Max) 65 A
Current - Collector Cutoff (Max) 13 µA
IGBT Type Trench Field Stop
Input Standard
Input Capacitance (Cies) @ Vce 15.1 nF @ 25 V
Mounting Type Chassis Mount
NTC Thermistor No
Operating Temperature -40°C ~ 175°C
Package / Case Module
Part Status Active
Power - Max 20 mW
Supplier Device Package Module
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic 1.55V @ 15V, 75A (Typ)
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max) 1200 V

Kaynaklar

Datasheet

Datasheet mevcut değil

Pinout

Pinout mevcut değil

Eşdeğerler (Muadiller)

Eşdeğer (muadil) veri yok