IGBT Transistörler - Modüller

FS75R12W2T4B11BOMA1

IGBT MOD 1200V 107A 375W

Paket/Kılıf
Module
Seri / Aile Numarası
FS75R12W2T4B11

FS75R12W2T4B11BOMA1 Hakkında

Infineon Technologies tarafından üretilen FS75R12W2T4B11BOMA1, Full Bridge konfigürasyonlu bir IGBT modülüdür. 1200V kesme gerilimi ve 107A maksimum kolektör akımı ile yüksek güç uygulamalarında kullanılır. Trench Field Stop IGBT teknolojisine sahip bu modül, 375W maksimum güç kapasitesi ile endüstriyel sürücüler, kaynak makinaları, güç kaynakları ve motor kontrol sistemlerinde tercih edilir. Chassis mount tipi kasa ile sabit montaja uygun olan komponent, -40°C ile 150°C arasında çalışabilir. NTC Thermistor özelliği ile sıcaklık kontrolü sağlanır. Düşük Vce(on) değeri (2.15V @ 15V, 75A) ile enerji verimliliği destekler.

Teknik Özellikler

Parametre Değer
Configuration Full Bridge
Current - Collector (Ic) (Max) 107 A
Current - Collector Cutoff (Max) 1 mA
IGBT Type Trench Field Stop
Input Standard
Input Capacitance (Cies) @ Vce 4.3 nF @ 25 V
Mounting Type Chassis Mount
NTC Thermistor Yes
Operating Temperature -40°C ~ 150°C
Package / Case Module
Part Status Active
Power - Max 375 W
Supplier Device Package Module
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic 2.15V @ 15V, 75A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max) 1200 V

Kaynaklar

Datasheet

Datasheet mevcut değil

Pinout

Pinout mevcut değil

Eşdeğerler (Muadiller)

Eşdeğer (muadil) veri yok