IGBT Transistörler - Modüller
FS75R07N2E4BOSA1
IGBT MODULE 650V 75A 250W
- Üretici
- Infineon Technologies
- Paket/Kılıf
- Module
- Kategori
- IGBT Transistörler - Modüller
- Seri / Aile Numarası
- FS75R07N2E4BOSA1
FS75R07N2E4BOSA1 Hakkında
Infineon Technologies tarafından üretilen FS75R07N2E4BOSA1, üç fazlı invertör uygulamaları için tasarlanmış 650V/75A IGBT modülüdür. Trench Field Stop teknolojisi ile üretilen bu transistör modülü, maksimum 250W güç yönetebilir ve -40°C ile 150°C arasında çalışabilir. 1.95V Vce(on) değeri ile düşük iletim kayıpları sunması, endüstriyel motor kontrolü, güç dönüştürücüleri, kaynak makinaları ve yenilenebilir enerji sistemlerinde tercih edilir. NTC Termistör entegrasyonu sayesinde sıcaklık koruması sağlar. Chassis mount konfigürasyonu kompakt tasarımlar için uygundur.
Teknik Özellikler
| Parametre | Değer |
|---|---|
| Configuration | Three Phase Inverter |
| Current - Collector (Ic) (Max) | 75 A |
| Current - Collector Cutoff (Max) | 1 mA |
| IGBT Type | Trench Field Stop |
| Input | Standard |
| Input Capacitance (Cies) @ Vce | 4.6 nF @ 25 V |
| Mounting Type | Chassis Mount |
| NTC Thermistor | Yes |
| Operating Temperature | -40°C ~ 150°C |
| Package / Case | Module |
| Part Status | Market |
| Power - Max | 250 W |
| Supplier Device Package | Module |
| Vce(on) (Max) @ Vge, Ic | 1.95V @ 15V, 75A |
| Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max) | 650 V |
Kaynaklar
Datasheet
Datasheet mevcut değil
Pinout
Pinout mevcut değil
Eşdeğerler (Muadiller)
Eşdeğer (muadil) veri yok