IGBT Transistörler - Modüller

FS75R07N2E4B11BOSA1

IGBT MODULE 650V 75A 250W

Paket/Kılıf
Module
Seri / Aile Numarası
FS75R07N2E4B11

FS75R07N2E4B11BOSA1 Hakkında

FS75R07N2E4B11BOSA1, Rochester Electronics tarafından üretilen 650V 75A kapasiteli IGBT modülüdür. Üç fazlı inverter konfigürasyonunda tasarlanmış olup, 250W maksimum güç desteği sağlar. Trench Field Stop IGBT teknolojisi kullanılarak düşük açılış gerilimi (Vce(on) = 1.95V @ 75A) ve hızlı anahtarlama özelliği sunmaktadır. Şasi montajı için uygun chassis mount paketi ile gelen komponent, NTC termistör içerir. -40°C ile +150°C arasında güvenli çalışma sağlayan bu modül, güç elektronikleri uygulamalarında, invertör devreleri, motor kontrolü ve endüstriyel anahtarlama sistemlerinde kullanılır. 4.6 nF giriş kapasitansı (Cies) ile stabil ve kontrollü anahtarlama performansı sunar.

Teknik Özellikler

Parametre Değer
Configuration Three Phase Inverter
Current - Collector (Ic) (Max) 75 A
Current - Collector Cutoff (Max) 1 mA
IGBT Type Trench Field Stop
Input Standard
Input Capacitance (Cies) @ Vce 4.6 nF @ 25 V
Mounting Type Chassis Mount
NTC Thermistor Yes
Operating Temperature -40°C ~ 150°C
Package / Case Module
Part Status Market
Power - Max 250 W
Supplier Device Package Module
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic 1.95V @ 15V, 75A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max) 650 V

Kaynaklar

Datasheet

Datasheet mevcut değil

Pinout

Pinout mevcut değil

Eşdeğerler (Muadiller)

Eşdeğer (muadil) veri yok