IGBT Transistörler - Modüller

FS50R17KE3B17BOSA1

IGBT MOD 1700V 82A 345W

Paket/Kılıf
Module
Seri / Aile Numarası
FS50R17KE3B17BOSA1

FS50R17KE3B17BOSA1 Hakkında

Infineon Technologies tarafından üretilen FS50R17KE3B17BOSA1, Full Bridge konfigürasyonlu bir IGBT modülüdür. 1700V collector-emitter breakdown voltajı ve 82A maksimum collector akımı ile yüksek güç uygulamalarında kullanılmak üzere tasarlanmıştır. Trench Field Stop teknolojisi ile üretilen bu modül, 345W maksimum güç yönetebilir. Vce(on) voltajı 15V gate voltajında 50A akımda 2.45V olup, düşük iletim kayıpları sağlar. -40°C ile 125°C arasında çalışır. Chassis mount tipi kasa ile sabit uygulamalara uygun olan bu IGBT modülü, endüstriyel sürücü devreleri, kaynak makineleri ve güç dönüştürücülerinde kullanılır.

Teknik Özellikler

Parametre Değer
Configuration Full Bridge
Current - Collector (Ic) (Max) 82 A
Current - Collector Cutoff (Max) 1 mA
IGBT Type Trench Field Stop
Input Standard
Input Capacitance (Cies) @ Vce 4.5 nF @ 25 V
Mounting Type Chassis Mount
NTC Thermistor No
Operating Temperature -40°C ~ 125°C
Package / Case Module
Part Status Market
Power - Max 345 W
Supplier Device Package Module
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic 2.45V @ 15V, 50A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max) 1700 V

Kaynaklar

Datasheet

Datasheet mevcut değil

Pinout

Pinout mevcut değil

Eşdeğerler (Muadiller)

Eşdeğer (muadil) veri yok