IGBT Transistörler - Modüller
FS50R12W2T7B11BOMA1
IGBT MOD 1200V 50A
- Üretici
- Infineon Technologies
- Paket/Kılıf
- Module
- Kategori
- IGBT Transistörler - Modüller
- Seri / Aile Numarası
- FS50R12W2T7B11
FS50R12W2T7B11BOMA1 Hakkında
FS50R12W2T7B11BOMA1, Infineon Technologies tarafından üretilen 1200V 50A IGBT modülüdür. Full Bridge konfigürasyonunda tasarlanan bu komponent, Trench Field Stop teknolojisi kullanarak yüksek frekans uygulamalarında verimli çalışma sağlar. 1.5V tipik Vce(on) değeri ile düşük kayıp performansı sunar. Chassis mount paketi ile endüstriyel sürücü devreleri, enerji dönüştürme sistemleri, motor kontrolü ve güç elektronikleri uygulamalarında kullanılır. -40°C ile 175°C arasında güvenilir operasyon yapabilen modül, 11.1 nF giriş kapasitansı ile hızlı komütasyon özelliği taşır. Standard giriş türüne sahip bu IGBT modülü, voltaj seviyeleri yüksek olan endüstriyel ve yenlenebilir enerji sistemlerinde tercih edilir.
Teknik Özellikler
| Parametre | Değer |
|---|---|
| Configuration | Full Bridge |
| Current - Collector (Ic) (Max) | 50 A |
| Current - Collector Cutoff (Max) | 7.9 µA |
| IGBT Type | Trench Field Stop |
| Input | Standard |
| Input Capacitance (Cies) @ Vce | 11.1 nF @ 25 V |
| Mounting Type | Chassis Mount |
| NTC Thermistor | No |
| Operating Temperature | -40°C ~ 175°C |
| Package / Case | Module |
| Part Status | Active |
| Power - Max | 20 mW |
| Supplier Device Package | Module |
| Vce(on) (Max) @ Vge, Ic | 1.5V @ 15V, 50A (Typ) |
| Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max) | 1200 V |
Kaynaklar
Datasheet
Datasheet mevcut değil
Pinout
Pinout mevcut değil
Eşdeğerler (Muadiller)
Eşdeğer (muadil) veri yok