IGBT Transistörler - Modüller
FS50R12W2T4B11BOMA1
IGBT MOD 1200V 83A 335W
- Üretici
- Infineon Technologies
- Paket/Kılıf
- Module
- Kategori
- IGBT Transistörler - Modüller
- Seri / Aile Numarası
- FS50R12W2T4B11
FS50R12W2T4B11BOMA1 Hakkında
Infineon Technologies tarafından üretilen FS50R12W2T4B11BOMA1, üç fazlı invertör uygulamaları için tasarlanmış bir IGBT modülüdür. 1200V kolektör-emiter gerilimi ve 83A maksimum kolektör akımı ile endüstriyel güç elektronik sistemlerinde kullanılır. Trench Field Stop IGBT teknolojisi ile üretilen bu modül, 335W maksimum güç kapasitesine sahiptir. -40°C ile 150°C arasında çalışan modül, NTC thermistor entegrasyonu sayesinde sıcaklık monitörizasyonu sağlar. Vce(on) değeri 15V gate voltajında 50A akımda 2.15V olarak belirtilmiştir. Şasi montajı için uygun paket tasarımı, motor kontrol, UPS sistemleri ve renewable energy uygulamalarında yaygın olarak tercih edilir.
Teknik Özellikler
| Parametre | Değer |
|---|---|
| Configuration | Three Phase Inverter |
| Current - Collector (Ic) (Max) | 83 A |
| Current - Collector Cutoff (Max) | 1 mA |
| IGBT Type | Trench Field Stop |
| Input | Standard |
| Input Capacitance (Cies) @ Vce | 2.8 nF @ 25 V |
| Mounting Type | Chassis Mount |
| NTC Thermistor | Yes |
| Operating Temperature | -40°C ~ 150°C |
| Package / Case | Module |
| Part Status | Active |
| Power - Max | 335 W |
| Supplier Device Package | Module |
| Vce(on) (Max) @ Vge, Ic | 2.15V @ 15V, 50A |
| Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max) | 1200 V |
Kaynaklar
Datasheet
Datasheet mevcut değil
Pinout
Pinout mevcut değil
Eşdeğerler (Muadiller)
Eşdeğer (muadil) veri yok