IGBT Transistörler - Modüller

FS50R12W1T7B11BOMA1

IGBT MODULE LOW POWER EASY

Paket/Kılıf
Module
Seri / Aile Numarası
FS50R12W1T7B11

FS50R12W1T7B11BOMA1 Hakkında

FS50R12W1T7B11BOMA1, Infineon Technologies tarafından üretilen düşük güçlü IGBT modülüdür. 50 A maksimum collector akımı ve 1200 V collector-emitter breakdown voltajı ile orta voltaj uygulamalarında kullanılır. Chassis mount tipi kasa yapısı ile endüstriyel kontrol sistemleri, motor sürücüleri ve güç dönüştürme devreleri gibi uygulamalarda sürücü ve anahtar görevi görmektedir. -40°C ile 175°C arasındaki geniş çalışma sıcaklığı aralığı, hassas sıcaklık kontrolü gerektiren ortamlarda güvenli işletim imkanı sağlamaktadır.

Teknik Özellikler

Parametre Değer
Current - Collector (Ic) (Max) 50 A
Current - Collector Cutoff (Max) 7.9 µA
Input Capacitance (Cies) @ Vce 11.1 nF @ 25 V
Mounting Type Chassis Mount
NTC Thermistor No
Operating Temperature -40°C ~ 175°C
Package / Case Module
Part Status Active
Supplier Device Package Module
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max) 1200 V

Kaynaklar

Datasheet

Datasheet mevcut değil

Pinout

Pinout mevcut değil

Eşdeğerler (Muadiller)

Eşdeğer (muadil) veri yok