Transistörler - FET, MOSFET - Diziler
FS45MR12W1M1B11BOMA1
MOSFET MODULE 1200V 50A
- Üretici
- Infineon Technologies
- Paket/Kılıf
- Module
- Seri / Aile Numarası
- FS45MR12W1M1B11BOMA1
FS45MR12W1M1B11BOMA1 Hakkında
Infineon Technologies tarafından üretilen FS45MR12W1M1B11BOMA1, Silicon Carbide (SiC) teknolojisinde üretilmiş 1200V/50A MOSFET modülüdür. 3-fazlı köprü konfigürasyonunda 6 N-Channel transistör içeren bu bileşen, yüksek voltaj uygulamalarında anahtarlama işlevlerini gerçekleştirir. 25A sürekli dren akımı kapasitesine sahip modül, 45mOhm (tipik) on-state direnci ile verimli güç iletimi sağlar. Chassis mount tipinde monte edilen bu komponent, -40°C ile 150°C arasında çalışma sıcaklığına dayanıklıdır. Güç dönüştürücüler, endüstriyel sürücü uygulamaları ve elektriksel araç sistemlerinde kullanılır.
Teknik Özellikler
| Parametre | Değer |
|---|---|
| Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C | 25A (Tj) |
| Drain to Source Voltage (Vdss) | 1200V (1.2kV) |
| FET Feature | Silicon Carbide (SiC) |
| FET Type | 6 N-Channel (3-Phase Bridge) |
| Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 62nC @ 15V |
| Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds | 1840pF @ 800V |
| Mounting Type | Chassis Mount |
| Operating Temperature | -40°C ~ 150°C (TJ) |
| Package / Case | Module |
| Part Status | Active |
| Power - Max | 20mW (Tc) |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 45mOhm @ 25A, 15V (Typ) |
| Supplier Device Package | AG-EASY1BM-2 |
| Vgs(th) (Max) @ Id | 5.55V @ 10mA |
Kaynaklar
Datasheet
Datasheet mevcut değil
Pinout
Pinout mevcut değil
Eşdeğerler (Muadiller)
Eşdeğer (muadil) veri yok