IGBT Transistörler - Modüller

FS35R12W1T4BOMA1

IGBT MOD 1200V 65A 225W

Paket/Kılıf
Module
Seri / Aile Numarası
FS35R12W1T4

FS35R12W1T4BOMA1 Hakkında

FS35R12W1T4BOMA1, Infineon Technologies tarafından üretilen üç fazlı inverter uygulamaları için tasarlanmış IGBT transistör modülüdür. 1200V collector-emitter breakdown voltajı ve maksimum 65A collector akımı ile güç dönüştürme sistemlerinde kullanılır. Trench Field Stop IGBT teknolojisine sahip olup, 2.25V (15V gate gerilimi, 35A collector akımında) düşük on-state voltajı ile enerji verimliliği sağlar. Maksimum 225W güç yönetimi kapasitesi ve entegre NTC thermistor ile sıcaklık kontrolü özelliğine sahiptir. -40°C ile +150°C arasında çalışma sıcaklığında stabil performans sunar. Endüstriyel sürücü uygulamaları, yenilenebilir enerji sistemleri ve elektrik motor kontrol devreleri başta olmak üzere yüksek gerilim güç elektroniği uygulamalarında tercih edilir.

Teknik Özellikler

Parametre Değer
Configuration Three Phase Inverter
Current - Collector (Ic) (Max) 65 A
Current - Collector Cutoff (Max) 1 mA
IGBT Type Trench Field Stop
Input Standard
Input Capacitance (Cies) @ Vce 2 nF @ 25 V
Mounting Type Chassis Mount
NTC Thermistor Yes
Operating Temperature -40°C ~ 150°C (TJ)
Package / Case Module
Part Status Active
Power - Max 225 W
Supplier Device Package Module
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic 2.25V @ 15V, 35A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max) 1200 V

Kaynaklar

Datasheet

Datasheet mevcut değil

Pinout

Pinout mevcut değil

Eşdeğerler (Muadiller)

Eşdeğer (muadil) veri yok