Transistörler - FET, MOSFET - Diziler
FS03MR12A6MA1LB
POWER MODULE
- Üretici
- Infineon Technologies
- Paket/Kılıf
- Module
- Seri / Aile Numarası
- FS03MR12A6MA1LB
FS03MR12A6MA1LB Hakkında
FS03MR12A6MA1LB, Infineon Technologies tarafından üretilen 6 N-Channel Silicon Carbide (SiC) MOSFET güç modülüdür. 1200V drain-source voltaj kapasitesi ve 400A sürekli dren akımı ile yüksek güç uygulamaları için tasarlanmıştır. 3-Phase Bridge konfigürasyonu sayesinde motor kontrolü, endüstriyel değiştirici (inverter), güç kaynakları ve enerji dönüştürme sistemlerinde kullanılır. 3.7mOhm RDS(on) değeri ve düşük geçiş kaybı ile verimli çalışma sağlar. Geniş çalışma sıcaklığı aralığı (-40°C ~ 150°C) sayesinde zorlu ortamlar için uygundur. AG-HYBRIDD-2 paketinde sunulan bu modül, chassis mount konfigürasyonuyla endüstriyel uygulamalara entegre edilmeye hazırdır.
Teknik Özellikler
| Parametre | Değer |
|---|---|
| Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C | 400A |
| Drain to Source Voltage (Vdss) | 1200V (1.2kV) |
| FET Feature | Silicon Carbide (SiC) |
| FET Type | 6 N-Channel (3-Phase Bridge) |
| Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 1320nC @ 15V |
| Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds | 42.6nF @ 600V |
| Mounting Type | Chassis Mount |
| Operating Temperature | -40°C ~ 150°C (TJ) |
| Package / Case | Module |
| Part Status | Active |
| Power - Max | 20mW |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 3.7mOhm @ 400A, 15V |
| Supplier Device Package | AG-HYBRIDD-2 |
| Vgs(th) (Max) @ Id | 5.55V @ 240mA |
Kaynaklar
Datasheet
Datasheet mevcut değil
Pinout
Pinout mevcut değil
Eşdeğerler (Muadiller)
Eşdeğer (muadil) veri yok