Transistörler - FET, MOSFET - Diziler
FS03MR12A6MA1BBPSA1
HYBRID PACK DRIVE SIC AG-HYBRIDD
- Üretici
- Infineon Technologies
- Paket/Kılıf
- Module
- Seri / Aile Numarası
- FS03MR12A6MA1BBPSA1
FS03MR12A6MA1BBPSA1 Hakkında
FS03MR12A6MA1BBPSA1, Infineon Technologies tarafından üretilen Silicon Carbide (SiC) tabanlı hybrid pack drive MOSFET transistördür. 1200V drain-source voltajı ve 400A sürekli drenaj akımı kapasitesi ile yüksek güç uygulamalarında kullanılır. 3.7mOhm on-state direnci ile enerji kaybını minimize eder. -40°C ile 150°C arasında çalışma sıcaklık aralığında güvenilir performans sunar. Güç konvertörleri, endüstriyel sürücüler, elektrikli araç şarj sistemleri ve yenilenebilir enerji uygulamalarında yaygın olarak tercih edilir. AG-HYBRIDD-2 kasa tipi ile şasi montajına uygundur.
Teknik Özellikler
| Parametre | Değer |
|---|---|
| Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C | 400A (Tj) |
| Drain to Source Voltage (Vdss) | 1200V (1.2kV) |
| FET Feature | Silicon Carbide (SiC) |
| Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 1320nC @ 15V |
| Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds | 42.5nF @ 600V |
| Mounting Type | Chassis Mount |
| Operating Temperature | -40°C ~ 150°C (TJ) |
| Package / Case | Module |
| Part Status | Active |
| Power - Max | 20mW |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 3.7mOhm @ 400A, 15V |
| Supplier Device Package | AG-HYBRIDD-2 |
| Vgs(th) (Max) @ Id | 5.55V @ 240mA |
Kaynaklar
Datasheet
Datasheet mevcut değil
Pinout
Pinout mevcut değil
Eşdeğerler (Muadiller)
Eşdeğer (muadil) veri yok