Transistörler - FET, MOSFET - Diziler
FS03MR12A6MA1B
HYBRID PACK DRIVE SIC AG-HYBRIDD
- Üretici
- Infineon Technologies
- Paket/Kılıf
- Module
- Seri / Aile Numarası
- FS03MR12A6MA1B
FS03MR12A6MA1B Hakkında
FS03MR12A6MA1B, Infineon Technologies tarafından üretilen Silicon Carbide (SiC) teknolojisine dayalı 6 adet N-Channel MOSFET'in entegre edildiği bir hybrid modüldür. 1200V drain-source gerilimi ve 400A sürekli drain akımı ile yüksek güç uygulamalarında çalışmak üzere tasarlanmıştır. 3.7mOhm RDS(on) değeri ile iletim kayıplarını minimuma indirir. AG-HYBRIDD paket tipi chassis mount uygulamalarına uygundur. -40°C ile 150°C arası sıcaklık aralığında çalışabilir. Enerji dönüşüm sistemleri, motor sürücüleri, güç kaynakları ve endüstriyel inverter uygulamalarında kullanılır.
Teknik Özellikler
| Parametre | Değer |
|---|---|
| Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C | 400A (Tj) |
| Drain to Source Voltage (Vdss) | 1200V (1.2kV) |
| FET Feature | Silicon Carbide (SiC) |
| FET Type | 6 N-Channel |
| Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 1320nC @ 15V |
| Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds | 42.5nF @ 600V |
| Mounting Type | Chassis Mount |
| Operating Temperature | -40°C ~ 150°C (TJ) |
| Package / Case | Module |
| Part Status | Active |
| Power - Max | 20mW |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 3.7mOhm @ 400A, 15V |
| Supplier Device Package | AG-HYBRIDD-2 |
| Vgs(th) (Max) @ Id | 5.55V @ 240mA |
Kaynaklar
Datasheet
Datasheet mevcut değil
Pinout
Pinout mevcut değil
Eşdeğerler (Muadiller)
Eşdeğer (muadil) veri yok