Transistörler - FET, MOSFET - Diziler
FQS4900TF
MOSFET N/P-CH 60V/300V 8SOP
FQS4900TF Hakkında
FQS4900TF, onsemi tarafından üretilen dual N-Channel ve P-Channel MOSFET transistörüdür. 8-SOIC yüzey montajlı paket içinde sunulan bu komponent, 60V ve 300V drain-source voltaj derecelemeleri ile farklı uygulama gereksinimlerine uyum sağlar. Maksimum 1.3A ve 300mA continuous drain akımı kapasitesi ile anahtarlama ve güç yönetimi devrelerinde kullanılır. 2W maksimum güç dağıtımı ve -55°C ile +150°C arasında çalışma sıcaklık aralığı ile geniş ortam koşullarında güvenilir performans sunar. Düşük gate charge (2.1nC @ 5V) ve kontrol edilebilir RDS(on) (550mOhm @ 10V) özellikleri sayesinde motor kontrol, güç dönüştürme, LED sürücüleri ve genel dijital lojik uygulamalarında tercih edilir.
Teknik Özellikler
| Parametre | Değer |
|---|---|
| Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C | 1.3A, 300mA |
| Drain to Source Voltage (Vdss) | 60V, 300V |
| FET Feature | Standard |
| FET Type | N and P-Channel |
| Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 2.1nC @ 5V |
| Mounting Type | Surface Mount |
| Operating Temperature | -55°C ~ 150°C (TJ) |
| Part Status | Active |
| Power - Max | 2W |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 550mOhm @ 650mA, 10V |
| Supplier Device Package | 8-SOIC |
| Vgs(th) (Max) @ Id | 1.95V @ 20mA |
Kaynaklar
Datasheet
Datasheet mevcut değil
Pinout
Pinout mevcut değil
Eşdeğerler (Muadiller)
Eşdeğer (muadil) veri yok