Transistörler - FET, MOSFET - Diziler
FQS4900TF
POWER FIELD-EFFECT TRANSISTOR, 1
- Üretici
- Rochester Electronics
- Paket/Kılıf
- 8-SOIC
- Seri / Aile Numarası
- FQS4900
FQS4900TF Hakkında
FQS4900TF, Rochester Electronics tarafından üretilen dual N ve P-Channel MOSFET transistör dizisidir. Surface mount 8-SOIC paketinde sunulan bu komponentin drain akımı 1.3A (N-Channel) ve 300mA (P-Channel), drain-source gerilimi ise 60V ve 300V olarak tasarlanmıştır. Maksimum gate charge 2.1nC ile düşük kapasitif yüke sahip olup, 550mOhm RDS(on) değeriyle verimli anahtarlama işlemi gerçekleştirir. -55°C ile 150°C arasında çalışabilen bu transistör, güç yönetimi, anahtarlama devreleri, DC-DC dönüştürücüler ve motor kontrol uygulamalarında kullanılır. 2W maksimum güç dissipatörü ve 1.95V eşik gerilimi ile kompakt tasarımlar için uygundur.
Teknik Özellikler
| Parametre | Değer |
|---|---|
| Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C | 1.3A, 300mA |
| Drain to Source Voltage (Vdss) | 60V, 300V |
| FET Feature | Standard |
| FET Type | N and P-Channel |
| Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 2.1nC @ 5V |
| Mounting Type | Surface Mount |
| Operating Temperature | -55°C ~ 150°C (TJ) |
| Part Status | Active |
| Power - Max | 2W |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 550mOhm @ 650mA, 10V |
| Supplier Device Package | 8-SOIC |
| Vgs(th) (Max) @ Id | 1.95V @ 20mA |
Kaynaklar
Datasheet
Datasheet mevcut değil
Pinout
Pinout mevcut değil
Eşdeğerler (Muadiller)
Eşdeğer (muadil) veri yok