Transistörler - Bipolar (BJT) - RF
FPNH10
RF SMALL SIGNAL TRANSISTOR
- Üretici
- Rochester Electronics
- Paket/Kılıf
- TO-226-3
- Kategori
- Transistörler - Bipolar (BJT) - RF
- Seri / Aile Numarası
- FPNH10
FPNH10 Hakkında
FPNH10, Rochester Electronics tarafından üretilen NPN tipinde RF small signal transistördür. TO-92-3 paketinde sunulan bu transistör, 650MHz transition frequency ile RF ve mikrodalga uygulamalarında kullanılır. 50mA maksimum collector akımı, 25V breakdown voltage ve 350mW maksimum güç yeteneği ile çalışır. -55°C ile 150°C arasında stabil şekilde çalışabilen bu bileşen, RF amplifikatörler, osilatörler ve switching devreleri gibi uygulamalarda kullanılmıştır. Bileşen şu anda üretim dışı (obsolete) statüsündedir. Through hole montaj tipi sayesinde geleneksel PCB tasarımlarında kullanılabilir.
Teknik Özellikler
| Parametre | Değer |
|---|---|
| Current - Collector (Ic) (Max) | 50mA |
| DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce | 60 @ 4mA, 10V |
| Frequency - Transition | 650MHz |
| Mounting Type | Through Hole |
| Operating Temperature | -55°C ~ 150°C (TJ) |
| Package / Case | TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA) |
| Part Status | Obsolete |
| Power - Max | 350mW |
| Supplier Device Package | TO-92-3 |
| Transistor Type | NPN |
| Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max) | 25V |
Kaynaklar
Datasheet
Datasheet mevcut değil
Pinout
Pinout mevcut değil
Eşdeğerler (Muadiller)
Eşdeğer (muadil) veri yok