IGBT Transistörler - Modüller
FPF2C8P2NL07A
INSULATED GATE BIPOLAR TRANSISTO
- Üretici
- Rochester Electronics
- Paket/Kılıf
- F2 Module
- Kategori
- IGBT Transistörler - Modüller
- Seri / Aile Numarası
- FPF2C8P2NL07A
FPF2C8P2NL07A Hakkında
FPF2C8P2NL07A, Rochester Electronics tarafından üretilen üç fazlı Insulated Gate Bipolar Transistor (IGBT) modülüdür. Field Stop teknolojisi ile tasarlanan bu bileşen, 650V maksimum collector-emitter breakdown voltajı ve 30A maksimum collector akımı ile çalışmaktadır. 2.2V Vce(on) değeri ile düşük iletim kaybına sahiptir. Chassis mount tipi F2 modül pakette sunulan cihaz, -40°C ile +150°C arasında çalışır ve 135W maksimum güç yönetebilir. Entegre NTC thermistor ile sıcaklık koruması sağlayan bu modül, endüstriyel güç dönüştürme uygulamalarında, inverter ve motor sürücü devreleri gibi alanlarda kullanılmaktadır.
Teknik Özellikler
| Parametre | Değer |
|---|---|
| Configuration | Three Phase |
| Current - Collector (Ic) (Max) | 30 A |
| Current - Collector Cutoff (Max) | 250 µA |
| IGBT Type | Field Stop |
| Input | Standard |
| Mounting Type | Chassis Mount |
| NTC Thermistor | Yes |
| Operating Temperature | -40°C ~ 150°C (TJ) |
| Package / Case | F2 Module |
| Part Status | Active |
| Power - Max | 135 W |
| Supplier Device Package | F2 |
| Vce(on) (Max) @ Vge, Ic | 2.2V @ 15V, 30A |
| Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max) | 650 V |
Kaynaklar
Datasheet
Datasheet mevcut değil
Pinout
Pinout mevcut değil
Eşdeğerler (Muadiller)
Eşdeğer (muadil) veri yok