IGBT Transistörler - Modüller
FPF1C2P5MF07AM
INSULATED GATE BIPOLAR TRANSISTO
- Üretici
- Rochester Electronics
- Paket/Kılıf
- F1 Module
- Kategori
- IGBT Transistörler - Modüller
- Seri / Aile Numarası
- FPF1C2P5MF07AM
FPF1C2P5MF07AM Hakkında
FPF1C2P5MF07AM, Rochester Electronics tarafından üretilen Full Bridge Inverter konfigürasyonunda Insulated Gate Bipolar Transistor (IGBT) modülüdür. 39A kolektör akımı ve 620V kırılma voltajı ile tasarlanan bu bileşen, endüstriyel sürücü uygulamalarında ve güç dönüştürme sistemlerinde kullanılır. Tek faz köprü doğrultma giriş yapısına sahip olan modül, -40°C ile +150°C sıcaklık aralığında çalışabilir. Şasi montajı için uygun olan F1 Module paketinde sunulan FPF1C2P5MF07AM, maksimum 231W güç yönetimi sağlar ve 1.6V Vce(on) değeri ile verimli anahtarlama performansı sunar.
Teknik Özellikler
| Parametre | Değer |
|---|---|
| Configuration | Full Bridge Inverter |
| Current - Collector (Ic) (Max) | 39 A |
| Current - Collector Cutoff (Max) | 25 µA |
| Input | Single Phase Bridge Rectifier |
| Mounting Type | Chassis Mount |
| NTC Thermistor | No |
| Operating Temperature | -40°C ~ 150°C (TJ) |
| Package / Case | F1 Module |
| Part Status | Active |
| Power - Max | 231 W |
| Supplier Device Package | F1 |
| Vce(on) (Max) @ Vge, Ic | 1.6V @ 15V, 30A |
| Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max) | 620 V |
Kaynaklar
Datasheet
Datasheet mevcut değil
Pinout
Pinout mevcut değil
Eşdeğerler (Muadiller)
Eşdeğer (muadil) veri yok