Transistörler - FET, MOSFET - Diziler
FPF1C2P5BF07A
INSULATED GATE BIPOLAR TRANSISTO
- Üretici
- Rochester Electronics
- Paket/Kılıf
- F1 Module
- Seri / Aile Numarası
- FPF1C2P5BF07A
FPF1C2P5BF07A Hakkında
FPF1C2P5BF07A, Rochester Electronics tarafından üretilen, 5 N-Channel konfigürasyonunda IGBT (Insulated Gate Bipolar Transistor) modülüdür. 650V Drain-to-Source voltaj derecelendirmesi ve 36A sürekli dren akımı ile tasarlanmıştır. Maksimum 250W güç kapasitesine sahip bu bileşen, özellikle solar inverter uygulamalarında kullanılmak üzere geliştirilmiştir. 90mOhm Rds(On) değeri düşük konversiyon kayıpları sağlar. -40°C ile 150°C arasında çalışan sıcaklık aralığında güvenilir performans gösterir. F1 Module paketi ile Chassis Mount konfigürasyonunda sunulur. Yenilenebilir enerji sistemleri, DC-AC dönüştürücüler ve güç elektronik devrelerinde yaygın olarak uygulanır.
Teknik Özellikler
| Parametre | Değer |
|---|---|
| Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C | 36A |
| Drain to Source Voltage (Vdss) | 650V |
| FET Feature | Standard |
| FET Type | 5 N-Channel (Solar Inverter) |
| Mounting Type | Chassis Mount |
| Operating Temperature | -40°C ~ 150°C (TJ) |
| Package / Case | F1 Module |
| Part Status | Active |
| Power - Max | 250W |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 90mOhm @ 27A, 10V |
| Supplier Device Package | F1 |
| Vgs(th) (Max) @ Id | 3.8V @ 250µA |
Kaynaklar
Datasheet
Datasheet mevcut değil
Pinout
Pinout mevcut değil
Eşdeğerler (Muadiller)
Eşdeğer (muadil) veri yok